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FQD7N10LTM中文资料

FQD7N10LTM图片

FQD7N10LTM外观图

  • 大小:1331KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
  • 产品培训模块:High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装:2,500
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:QFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:5.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:350 毫欧 @ 2.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:6nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:290pF @ 25V
  • 功率 - 最大:2.5W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装:TO-252-3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:FQD7N10LTM-NDFQD7N10LTMTR

FQD7N10LTM供应商

更新时间:2023-01-08 19:31:27
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